银浆高速研磨机,纳米银浆高剪切研磨机,银浆高剪切研磨机,银浆管线式高速研磨机,IKN银浆研磨机采用独特的结构设计,磨头精密度高,并配合超高速的转速,转速可达14000rpm,研磨分散效果更佳。

银浆系由高纯度的(99.9% )金属银的微粒、粘合剂、溶剂、助剂所组成的一种机械混和物的粘稠状的浆料。导电银浆对其组成物质要求是十分严格的。其品质的高低、含量的多少,以及形状、大小对银浆性能都有着密切关系。银粉的分散效果直接关系到银浆的质量。所以采用好的分散设备对银粉的分散是至关重要的,当然分散剂的应用也是必不可少的。

纳米银浆分散混合设备,纳米银粉分散,银粉比表面积较大,易发生团聚很难分散,如何将银粉制成银浆?银浆的制备,炭黑的制备,银粉的分散,炭黑的分散,高剪切分散机可帮您解决此类难题。结合客户实验案例,采用IKN研磨分散机进行银粉处理,不仅生产效率快,一般研磨5-10遍即可;而且这种方式相对于三辊机以及砂磨机而言,物料损失更小。

研磨机CM2000系列特别适合于胶体溶液、超细悬浮液和乳液的生产。除了高转速和灵活可调的定转子间隙外,CM在摩擦状态下工作,也就被称做湿磨。在锥形转子和定子之间有一个宽的入口间隙和窄的出口间隙,在工作中,分散头偏心运转使溶液出现涡流,因此可以达到更好的研磨分散的效果。CM2000整机采用几何机构的研磨定转子,的表面处理和优质材料,可以满足不同行业的多种需求。

高剪切研磨机运行原理:高剪切研磨机在电动机的高速转动下物料从进口处直接进入高剪切破碎区,通过一种特殊粉碎装置,将流体中的一些大粉团、粘块、团块等大小颗粒迅速破碎,然后吸入剪切粉碎 区,在十分狭窄的工作过道内由于转子刀片与定子刀片相对高速切割从而产生强烈摩擦及研磨破碎等。在机械运动和离心力的作用下,将已粉碎细化的物料重新压入精磨区进行研磨破碎。精磨区分三,越向外延伸一磨片精度越高,齿距越小,线速度越长,物料越磨越细,同时流体逐步向径向作曲线延伸。每到一流体的方 向速度瞬间发生变化,并且受到每分钟上千万次的高速剪切、强烈摩擦、挤压研磨、颗粒粉碎等,在经过三个精磨区的上千万次的高速剪切、研磨粉碎之后,从而产 生液料分子链断裂、颗粒粉碎、液粒撕破等功效使物料充分达到分散、粉碎、乳化、均质、细化的目的。液料的小细度可达0.5um。

IKN研磨机结构:三道磨碎区:一组为粗磨碎区,二组为细磨碎区,三组为超微磨碎区。我们的磨头的结构:沟槽的结构式斜齿,每个磨头的沟槽深度不一样,并且斜齿的流道的体积从上往下是从大到下,而他们的斜齿的每个磨头的沟槽深度一样,流道体积是一样大,这样形成了本质的区别。我们可以保证物料从上往下一直在进行研磨,而他们只能在一磨头到另外一磨头形成研磨效果。

CM2000系列的特点:

1、定转子被制成圆椎形,具有精细度递升的三组锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。

2、齿列的深度:从开始的2.7mm 到末端的0.7mm,范围比较大,范围越大,处理的物料颗粒大小越广。

3、沟槽的结构式斜齿,每个磨头的沟槽深度不一样,并且斜齿的流道的体积从上往下是从大到下。

CM2000系列设备选型表

注:流量取决于设置的间隙和被处理物料的特性,同事流量可以被调节到允许量的10%

IKN的CM2000系列和国内设备相比

三组结构磨头结构转速线速度模块头密封类型产品效果

国内设备沟槽是直线,同的沟槽深度一样沟槽的结构式斜齿,每个磨头的沟槽深度不一样,并且斜齿的流道的体积从上往下是从大到下目是不通过变频器来调节,若通过变频调节,他们的轴承不能承受高速运转。一般在3000RPM(这是由于研磨机的内部结构及精密的程度决定的。)大约在10-15M/S只有一种模块头单机械密封或轴封,泄漏故障率高,产品泄漏进入马达,造成马达烧毁粒径细度有限,100微米以下较困难,重复性差

IKN上海依肯沟槽是曲线,上下深度不一,上深下浅斜齿的每个磨头的沟槽深度一样,流道体积是一样大可以通过变频调速,转速可达7890/13789RPM ,通过皮带加速 我们轴承可以承受140000RPM(转速是他们的3-4倍,研磨的力度也是他们的3-4倍,这样研磨的细度更小)23-40 M/S可以选择六种不同的模块头,实现多种功能,如三乳化模块,超高速模块,CM胶体模块,CMO胶体模块,批次粉液液混合模块,连续粉液混合模块双机械密封,易于清洗,将泄漏降至,可24小时不停运转可实现1-10微米小粒径材料加工

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更新时间：2024/4/22 9:00:19

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